RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3091
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link