RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
45
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
16
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3906
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link