RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2356
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-048.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link