RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3047
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link