RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.9
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2026
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link