RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2337
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link