RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3181
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link