RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3663
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Lenovo 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link