RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3663
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link