RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3199
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link