RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3045
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link