RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
81
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
81
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1634
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link