RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2280
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link