RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3860
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link