RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
47
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3593
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link