RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
47
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2982
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link