RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3731
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link