RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
49
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2801
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link