RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2618
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link