RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2797
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link