RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
47
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3077
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link