RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
4174
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link