RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
47
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3954
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link