RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
47
Wokół strony -194% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
16
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3952
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link