RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2968
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link