RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3245
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link