RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2318
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link