RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2457
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link