RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2890
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link