RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3567
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link