RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link