RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3528
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link