RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3911
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link