RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
55
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
55
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2185
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link