RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
47
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3327
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link