RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2163
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link