RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
47
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3082
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link