Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 47
    Wokół strony -81% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.2 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.4 left arrow 8.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    47 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 13.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 14.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2061 left arrow 3068
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania