RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
47
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3343
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link