RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3187
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link