RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3273
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link