RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2760
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link