RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
48
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3047
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link