RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
3447
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link