RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2281
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link