RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3136
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link