RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3137
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link