RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
19.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4404
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link