RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3865
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link