RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3972
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link