RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
66
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2038
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link